文献
J-GLOBAL ID:201702269308102485
整理番号:17A1556254
BiCMOS55nmにおけるその場雑音の特性化のための140GHzから160GHz能動インピーダンスチューナ【Powered by NICT】
A 140 GHz to 160 GHz active impedance tuner for in-situ noise characterization in BiCMOS 55 nm
著者 (8件):
Bouvot Simon
(IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France)
,
Goncalves Joao Carlos Azevedo
(IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France)
,
Bossuet Alice
(IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France)
,
Quemerais Thomas
(STMicroelectronics, 12 rue Jules Horowitz, 38000 Grenoble, France)
,
Lepilliet Sylvie
(IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France)
,
Ducournau Guillaume
(IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France)
,
Danneville Francois
(IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France)
,
Gloria Daniel
(STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
RFIT
ページ:
153-155
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)