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文献
J-GLOBAL ID：201702269451999792
整理番号：17A1125351
MIS-HEMT応用のためのTa_2O_5/GaNの実験的バンドアラインメント【Powered by NICT】
Experimental band alignment of Ta2O5/GaN for MIS-HEMT applications
Sawangsri K.
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK)
,
Das P.
(Dept. of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Durgapur, Durgapur 713209, India)
,
Supardan S.N.
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK)
,
Mitrovic I.Z.
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK)
,
Hall S.
(Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK)
,
Mahapatra R.
(Dept. of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Durgapur, Durgapur 713209, India)
,
Chakraborty A.K.
(Department of Physics, National Institute of Technology Durgapur, Durgapur 713209, India)
,
Treharne R.
(Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK)
,
Gibbon J.
(Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK)
,
Dhanak V.R.
(Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK)
,
Durose K.
(Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK)
,
Chalker P.R.
(Department of Engineering, University of Liverpool, Liverpool L69 3GH, UK)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 178 ページ： 178-181 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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