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文献
J-GLOBAL ID：201702269768198192
整理番号：17A0776094
ニッケルと金をドープしたn型シリコン材料のNTCと電気的性質【Powered by NICT】
NTC and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material
Dong Maojin
(Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences)
,
Chen Zhaoyang
(Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences)
,
Fan Yanwei
(Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Junhua
(Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences)
,
Tao Mingde
(Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences)
,
Cong Xiuyun
(Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 30 号： 8 ページ： 52-55 発行年： 2009年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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