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文献
J-GLOBAL ID：201702269768610575
整理番号：17A1728428
130nm SOI技術における耐放射線性位相同期ループの全電離線量感受性【Powered by NICT】
Total ionizing dose sensitivity of a radiation-tolerant phase-locked loop in a 130 nm SOI technology
Chen Zhuojun
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Lin Min
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Ding Ding
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Zheng Yunlong
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Sang Zehua
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Zou Shichang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Chen Rongmei
(Key Laboratory of Particle & Radiation Imaging, Ministry of Education, Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： RADECS ページ： 1-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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