文献
J-GLOBAL ID:201702269798048074
整理番号:17A1271112
入力/出力DRAM周辺pMOSFETの低周波雑音性能の改善【Powered by NICT】
Improving the low-frequency noise performance of input/output DRAM peripheral pMOSFETs
著者 (9件):
Simoen E.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
O’Sullivan B.J.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Ritzenthaler R.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Litta E. Dentoni
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Schram T.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Horiguchi N.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Machkaoutsan V.
(Assignees from Micron Technology, Inc, Leuven, Belgium)
,
Fazan P.
(Assignees from Micron Technology, Inc, Leuven, Belgium)
,
Li Y.
(Assignee from SK Hynix, Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICNF
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)