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J-GLOBAL ID：201702269913880472 整理番号：17A0181221

404nm GaNレーザダイオードを用いた大消光比導波路変調器集積化を用いた可能になったGHz変調【Powered by NICT】

GHz modulation enabled using large extinction ratio waveguide-modulator integrated with 404 nm GaN laser diode

著者 (9件)：

Shen Chao

(Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 21534, Saudi Arabia)

Lee Changmin

(Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Ng Tien Khee

(Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 21534, Saudi Arabia)

Speck James S.

(Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Nakamura Shuji

(Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

DenBaars Steven P.

(Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara (UCSB), CA 93106, USA)

Alyamani Ahmed Y.

(King Abdulaziz City for Science and Technology (KACST), Riyadh 11442, Saudi Arabia)

Eldesouki Munir M.

(King Abdulaziz City for Science and Technology (KACST), Riyadh 11442, Saudi Arabia)

Ooi Boon S.

(Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 21534, Saudi Arabia)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2016 号： IPC ページ： 813-814 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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