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文献
J-GLOBAL ID：201702269936744746
整理番号：17A1003257
2μmのInGaSb/AlGaAsSb量子井戸レーザの温度と電流に依存する自然放出
Temperature- and current-dependent spontaneous emission study on 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well lasers
LI Xiang
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
WANG Hong
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
QIAO Zhongliang
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
QIAO Zhongliang
(Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN)
,
LIAO Yongping
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG Yu
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
XU Yingqiang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
NIU Zhichuan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
TONG Cunzhu
(Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN)
,
LIU Chongyang
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 5 ページ： 050310.1-050310.4 発行年： 2017年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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