文献
J-GLOBAL ID:201702270005272667
整理番号:17A0701000
ZrO_2における反強誘電状ヒステリシスに基づく不揮発性ランダムアクセスメモリとエネルギー貯蔵【Powered by NICT】
Nonvolatile Random Access Memory and Energy Storage Based on Antiferroelectric Like Hysteresis in ZrO2
著者 (5件):
Pesic Milan
(NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany)
,
Hoffmann Michael
(NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany)
,
Richter Claudia
(NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany)
,
Mikolajick Thomas
(NaMLab gGmbH and Institute of Semiconductors and Microsytems, TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany)
,
Schroeder Uwe
(NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Str. 64, Dresden, D-01187, Germany. uwe.schroeder@namlab.com)
資料名:
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻:
26
号:
41
ページ:
7486-7494
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1336A
ISSN:
1616-301X
CODEN:
AFMDC6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)