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文献
J-GLOBAL ID：201702270159779204
整理番号：17A0496535
n型シリコンカーバイド層を持つa-Si:H薄膜太陽電池の改善された短絡電流密度
Improved short-circuit current density of a-Si:H thin film solar cells with n-type silicon carbide layer
DUAN Juanmei
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
,
DUAN Juanmei
(Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN)
,
WANG Weiyan
(Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN)
,
LI Hongjiang
(Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN)
,
HUANG Jinhua
(Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN)
,
FANG Xuyang
(Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN)
,
SONG Weijie
(Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN)
,
SONG Weijie
(Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovoltaic Sci. and Engineering, Changzhou, CHN)
,
YANG Weiguang
(Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 5 ページ： 3955-3961 発行年： 2017年03月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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