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文献
J-GLOBAL ID：201702270184685615
整理番号：17A0222732
(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(001)上のコヒーレントに歪んだBiFeO3と準安定擬正方晶系相の間の可逆転移
Reversible transition between coherently strained BiFeO3 and the metastable pseudotetragonal phase on (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 (001)
Fu Z.
(Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Yin Z. G.
(Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Zhang X. W.
(Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Chen N. F.
(School of Renewable Energy Engineering, North China Electric Power University, Beijing 102206, China)
,
Zhao Y. J.
(Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Bai Y. M.
(School of Renewable Energy Engineering, North China Electric Power University, Beijing 102206, China)
,
Zhao D. Y.
(State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China)
,
Zhang H. F.
(State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China)
,
Yuan Y. D.
(State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China)
,
Chen Y. N.
(State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, and Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China)
,
Wu J. L.
(Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
You J. B.
(Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 5 ページ： 054102-054102-8 発行年： 2017年02月07日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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