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文献
J-GLOBAL ID：201702270258280895
整理番号：17A0911188
フッ素プラズマ処理を用いた正ゲートバイアスストレス下のα-InGaZnO薄膜トランジスタの改良された安定性【Powered by NICT】
Improved Stability of $¥alpha $ -InGaZnO Thin-Film Transistor under Positive Gate Bias Stress by Using Fluorine Plasma Treatment
Huang X. D.
(Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, School of Electronic Science and Technology, Southeast University, Nanjing, China)
,
Song J. Q.
(Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong)
,
Lai P. T.
(Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 5 ページ： 576-579 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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