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文献
J-GLOBAL ID：201702270381408961
整理番号：17A0955296
2-トランジスタ2-磁気-トンネル-接合セルに基づく埋め込みスピン伝達トルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ上の酸化物トンネル・バリア絶縁破壊に基づく長期の信頼できる物理的アンクロナブル関数
Long-term reliable physically unclonable function based on oxide tunnel barrier breakdown on two-transistors two-magnetic-tunnel-junctions cell-based embedded spin transfer torque magnetoresistive random access memory
TAKAYA Satoshi
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TANAMOTO Tetsufumi
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NOGUCHI Hiroki
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IKEGAMI Kazutaka
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ABE Keiko
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
FUJITA Shinobu
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 4S ページ： 04CN07.1-04CN07.4 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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