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文献
J-GLOBAL ID：201702270484390222
整理番号：17A0326068
誘電体界面トラップ不動態化と傾斜チャネル変調ドーピングによる金属酸化物薄膜トランジスタの電気的性能の調整【Powered by NICT】
Tuning the electrical performance of metal oxide thin-film transistors via dielectric interface trap passivation and graded channel modulation doping
Wu Zhiheng
(State Centre for International Cooperation on Designer Low-Carbon and Environmental Materials (ICDLCEM), School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450001, China. zqyao@zzu.edu.cn gsshao@zzu.edu.cn)
,
Yao Zhiqiang
,
Liu Suilin
,
Yuan Bin
,
Zhang Yake
,
Liang Yu
,
Wang Zhuo
,
Tang Xiaosheng
,
Shao Guosheng
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 5 ページ： 1206-1215 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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