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J-GLOBAL ID：201702270503086103 整理番号：17A1060345

n型Cu_0.008Bi_2Te_2 7Se_0における熱電性能を強化するためのバナジウムによるドーピングとバンドエンジニアリング【Powered by NICT】

Doping and band engineering by vanadium to enhance the thermoelectric performance in n-type Cu_0.008Bi₂Te_2.7Se_0.3

著者 (9件)：

Lee Jeong Hoon

(Department of Electrical Engineering, Kwangwoon University, Seoul 01897, South Korea)

Lee Kyu Hyoung

(Department of Nano Applied Engineering, Kangwon National University, Chuncheon 24341, South Korea)

Kim Sung Wng

(Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, South Korea)

Kim Sang Il

(Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, South Korea)

Choi Soon-Mok

(School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education, Cheonan 31253, South Korea)

Kim Jong-Young

(Icheon Branch, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Icheon 17303, South Korea)

Kim Se Yun

(Materials R&D Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, Suwon 16419, South Korea)

Roh Jong Wook

(Materials R&D Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, Suwon 16419, South Korea)

Park Hee Jung

(Advanced Materials Engineering, Daejeon University, Daejeon 34520, South Korea)

資料名：

Physica B. Condensed Matter (Physica B. Condensed Matter)

巻： 517 ページ： 1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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