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文献
J-GLOBAL ID：201702270651360107
整理番号：17A0135143
原子的に薄いナノシートチャネル(0.65nm)とサブ閾値勾配(43mV/dec)の記録を有するゲートオールアラウンド無接合シリコントランジスタ
Gate-all-around junctionless silicon transistors with atomically thin nanosheet channel (0.65 nm) and record sub-threshold slope (43 mV/dec)
Thirunavukkarasu Vasanthan
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
,
Jhan Yi-Ruei
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
,
Liu Yan-Bo
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
,
Kurniawan Erry Dwi
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
,
Lin Yu Ru
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
,
Yang Shang-Yi
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
,
Cheng Che-Hsiang
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
,
Wu Yung-Chun
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, R408 ESS Building, 101, Section 2 Kuang Fu Road, Hsinchu 30013, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 3 ページ： 032101-032101-5 発行年： 2017年01月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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