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文献
J-GLOBAL ID：201702270659602322
整理番号：17A1646239
GaN-on-Si Schottkyダイオードにおける陰極関連捕獲効果の理解について【Powered by NICT】
On the understanding of cathode related trapping effects in GaN-on-Si Schottky diodes
Vandendaele W.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Lorin T.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Gwoziecki R.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Baines Y.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Biscarrat J.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Jaud M.A.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Gillot C.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Charles M.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Plissonnier M.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
,
Reimbold G.
(CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ESSDERC ページ： 126-129 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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