文献
J-GLOBAL ID:201702270709150288
整理番号:17A1248821
バイアスされた半導体上のナノスケール接着と滑り【Powered by NICT】
Nanoscale adhesion and sliding on biased semiconductors
著者 (4件):
Mukherjee A.
(Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg, CNRS, Universite de Strasbourg, F-67034 Strasbourg, France. rastei@ipcms.unistra.fr)
,
Craciun A. D.
,
Gallani J. L.
,
Rastei M. V.
資料名:
Faraday Discussions
(Faraday Discussions)
巻:
199
ページ:
323-334
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0377A
ISSN:
1359-6640
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)