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J-GLOBAL ID:201702270720835213   整理番号:17A0470079

Niゲートにおける侵食欠陥形成AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】

Erosion defect formation in Ni-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors
著者 (9件):
Whiting P.G.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
Holzworth M.R.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
Lind A.G.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
Pearton S.J.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
Jones K.S.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
Liu L.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States)
Kang T.S.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States)
Ren F.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States)
Xin Y.
(National High Magnetic Field Lab, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, United States)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 70  ページ: 32-40  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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