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文献
J-GLOBAL ID：201702270720835213
整理番号：17A0470079
Niゲートにおける侵食欠陥形成AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】
Erosion defect formation in Ni-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Whiting P.G.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
,
Holzworth M.R.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
,
Lind A.G.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
,
Pearton S.J.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
,
Jones K.S.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, United States)
,
Liu L.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States)
,
Kang T.S.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States)
,
Ren F.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6005, United States)
,
Xin Y.
(National High Magnetic Field Lab, Florida State University, Tallahassee, FL 32310, United States)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 70 ページ： 32-40 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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