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文献
J-GLOBAL ID：201702270727006329
整理番号：17A0151813
レビュー論文: InP(111)A,(111)B,(110)上の格子整合InAlAs及びInGaAs層の分子線エピタキシー
Review Article: Molecular beam epitaxy of lattice-matched InAlAs and InGaAs layers on InP (111)A, (111)B, and (110)
Yerino Christopher D.
(Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520)
,
Liang Baolai
(California NanoSystems Institute and Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095)
,
Huffaker Diana L.
(California NanoSystems Institute and Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, California 90095)
,
Simmonds Paul J.
(Department of Physics and Micron School of Materials Science and Engineering, Boise State University, Boise, Idaho 83725)
,
Lee Minjoo Larry
(Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520 and Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 1 ページ： 010801-010801-31 発行年： 2017年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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