文献
J-GLOBAL ID:201702270771017672
整理番号:17A1415042
低消費電力の半選択のないシングルエンド10トランジスタSRAMセル
Low-power half-select free single-ended 10 transistor SRAM cell
著者 (2件):
SINHA Anubhav
(Birla Inst. of Technol., Ranchi, IND)
,
ISLAM Aminul
(Birla Inst. of Technol., Ranchi, IND)
資料名:
Microsystem Technologies
(Microsystem Technologies)
巻:
23
号:
9
ページ:
4133-4144
発行年:
2017年09月
JST資料番号:
W2056A
ISSN:
0946-7076
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)