文献
J-GLOBAL ID:201702270870614759
整理番号:17A0741433
Ar/C4F6/O2容量結合プラズマに対してパルス化三重周波数を用いたSiO2のエッチング特性
Etch Characteristics of SiO2 Using Pulsed Triple-Frequency for Ar/C4F6/O2 Capacitive Coupled Plasmas
著者 (6件):
JEON M. H.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
PARK J. W.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
KIM T. H.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
YUN D. H.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
KIM K. N.
(Daejeon Univ., Daejeon, KOR)
,
YEOM G. Y.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
16
号:
11
ページ:
11831-11838
発行年:
2016年11月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)