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J-GLOBAL ID:201702270870614759   整理番号:17A0741433

Ar/C4F6/O2容量結合プラズマに対してパルス化三重周波数を用いたSiO2のエッチング特性

Etch Characteristics of SiO2 Using Pulsed Triple-Frequency for Ar/C4F6/O2 Capacitive Coupled Plasmas
著者 (6件):
JEON M. H.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
PARK J. W.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
KIM T. H.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
YUN D. H.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
KIM K. N.
(Daejeon Univ., Daejeon, KOR)
YEOM G. Y.
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)

資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)

巻: 16  号: 11  ページ: 11831-11838  発行年: 2016年11月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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