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文献
J-GLOBAL ID：201702270925687406
整理番号：17A0689950
III-V/Si MOSキャパシタマッハツェンダ変調器
III-V/Si MOS Capacitor Mach-Zehnder Modulator
開達郎
(NTT 先端集積デバイス研)
,
開達郎
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
相原卓磨
(NTT 先端集積デバイス研)
,
長谷部浩一
(NTT 先端集積デバイス研)
,
藤井拓郎
(NTT 先端集積デバイス研)
,
藤井拓郎
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
武田浩司
(NTT 先端集積デバイス研)
,
武田浩司
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
硴塚孝明
(NTT 先端集積デバイス研)
,
硴塚孝明
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
土澤泰
(NTT 先端集積デバイス研)
,
土澤泰
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
福田浩
(NTT 先端集積デバイス研)
,
福田浩
(NTT ナノフォトニクスセ)
,
松尾慎治
(NTT 先端集積デバイス研)
,
松尾慎治
(NTT ナノフォトニクスセ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117 号： 61(LQE2017 1-20) ページ： 53-56 発行年： 2017年05月18日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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