文献
J-GLOBAL ID:201702270927267535
整理番号:17A1254704
種々の温度での気相Zn拡散In_0In0.53Ga_0Ga0.47As nTFETsのトランジスタ効率の解析【Powered by NICT】
Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures
著者 (11件):
Bordallo C.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Brazil)
,
Martino J. A.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Brazil)
,
Agopian P. G. D.
(LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Brazil)
,
Alian A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Mols Y.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Rooyackers R.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Vandooren A.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Verhulst A. S.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Simoen E.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Claeys C.
(Imec, Leuven, Belgium)
,
Collaert N.
(Imec, Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
109-112
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)