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文献
J-GLOBAL ID：201702270953264435
整理番号：17A0509839
ダイヤモンドアンビルセル中の数層MoS2の加圧電界効果トランジスタ
Pressurizing Field-Effect Transistors of Few-Layer MoS2 in a Diamond Anvil Cell
CHEN Yabin
(Univ. California, California, USA)
,
KE Feng
(Center for High Pressure Sci. and Technol. Advanced Res., Shanghai, CHN)
,
CI Penghong
(Univ. California, California, USA)
,
KO Changhyun
(Univ. California, California, USA)
,
PARK Taegyun
(Univ. California, California, USA)
,
SAREMI Sahar
(Univ. California, California, USA)
,
LIU Huili
(Univ. California, California, USA)
,
LIU Huili
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
LEE Yeonbae
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
SUH Joonki
(Univ. California, California, USA)
,
MARTIN Lane W.
(Univ. California, California, USA)
,
AGER Joel W.
(Univ. California, California, USA)
,
AGER Joel W.
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
CHEN Bin
(Center for High Pressure Sci. and Technol. Advanced Res., Shanghai, CHN)
,
WU Junqiao
(Univ. California, California, USA)
,
WU Junqiao
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名：
Nano Letters
(Nano Letters)
巻： 17 号： 1 ページ： 194-199 発行年： 2017年01月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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