文献
J-GLOBAL ID:201702271068341651
整理番号:17A1651369
異なる金属ゲート仕事関数における10nm FinFETの電気特性に及ぼすフィン幅スケーリングの影響【Powered by NICT】
Impacts of fin width scaling on the electrical characteristics of 10-nm FinFET at different metal gate work function
著者 (3件):
Othman N. A. F.
(Department of Electrical Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
,
Hatta S. F. Wan Muhamad
(Department of Electrical Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
,
Soin N.
(Department of Electrical Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
RSM
ページ:
256-259
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)