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文献
J-GLOBAL ID：201702271169282579
整理番号：17A0118180
AlGaN/GaNH FETはに埋め込まれたGaNマイクロカンチレバーに基づく電位差測定センサ【Powered by NICT】
AlGaN/GaN HFET embedded GaN microcantilevers based potentiometric sensor
Bayram Ferhat
(Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA)
,
Khan Digangana
(Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA)
,
Kim Soaram
(Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA)
,
Koley Goutam
(Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SENSORS ページ： 1-3 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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