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文献
J-GLOBAL ID：201702271404651456
整理番号：17A0411813
多結晶シリコンインゴット凝固中の結合した結晶化と炭素偏析の3次元数値的研究【Powered by NICT】
3D numerical study of coupled crystallization and carbon segregation during multi-crystalline silicon ingot solidification
Ansari Dezfoli Amir Reza
(Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Hwang Weng-Sing
(Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Shukur Anmar Khalid
(Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Augusto James
(Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Huang Yu Shan
(Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC)
,
Tzeng ShiKai
(Motech Industries Inc., Science Park Branch, Tainan, Taiwan, ROC)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 59 ページ： 76-86 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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