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文献
J-GLOBAL ID：201702271634086463
整理番号：17A0950444
電子輸送層として室温処理GaドープZnOナノ粒子を用いた量子ドット発光ダイオードの性能向上
Enhancing the Performance of Quantum Dot Light-Emitting Diodes Using Room-Temperature-Processed Ga-Doped ZnO Nanoparticles as the Electron Transport Layer
CAO Sheng
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN)
,
CAO Sheng
(Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)
,
ZHENG Jinju
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN)
,
ZHAO Jialong
(Jilin Normal Univ., Siping, CHN)
,
YANG Zuobao
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN)
,
LI Chengming
(Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)
,
GUAN Xinwei
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
,
YANG Weiyou
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN)
,
SHANG Minghui
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN)
,
WU Tom
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 18 ページ： 15605-15614 発行年： 2017年05月10日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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