文献
J-GLOBAL ID:201702271814476889
整理番号:17A1129303
冷WLED応用に向けたドーパントDy~3+濃度を変えることによるX_2 Y_2SiO_5の光ルミネセンスと構造特性を駆動する【Powered by NICT】
Driving the photoluminescent and structural properties of X2-Y2SiO5 by varying the dopant Dy3+ concentration towards cool WLED applications
著者 (4件):
Ramakrishna G.
(Department of Physics, University College of Science, Tumkur University, Tumkur 572 103, India)
,
Nagabhushana H.
(Prof C.N.R. Rao Centre for Advanced Materials, Tumkur University, Tumkur 572 103, India)
,
Hareesh K.
(ARC Centre for Antimatter-Matter Studies, School of Physics, University of Western Australia, Crawley, WA 6009, Australia)
,
Sunitha D.V.
(School of Physics, REVA University, Yelahanka, Bangalore 560064, India)
資料名:
Solid State Sciences
(Solid State Sciences)
巻:
69
ページ:
56-63
発行年:
2017年
JST資料番号:
A0236B
ISSN:
1293-2558
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
フランス (FRA)
言語:
英語 (EN)