文献
J-GLOBAL ID:201702271878769514
整理番号:17A0966167
サブ1V CMOS電流基準のためのシミュレーションに基づく設計法【Powered by NICT】
Simulation-based design procedure for sub 1V CMOS current reference
著者 (2件):
Osipov Dmitry
(Institute of Electrodynamics and Microelectronics (ITEM), University of Bremen, Germany)
,
Paul Steffen
(Institute of Electrodynamics and Microelectronics (ITEM), University of Bremen, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DATE
ページ:
1663-1666
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)