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文献
J-GLOBAL ID：201702272053641363
整理番号：17A0795920
並列SiC MOSFETの電力モジュール内の交差ターンについてのシミュレーションと特性評価【Powered by NICT】
Simulation and Characterization of Cross-Turn-On Inside a Power Module of Paralleled SiC MOSFETs
Miao Zichen
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, VA, USA)
,
Wang Chi-Ming
(Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, MI, USA)
,
Ngo Khai D. T.
(Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, VA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology
(IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 7 号： 2 ページ： 186-192 発行年： 2017年
JST資料番号： W0590B ISSN： 2156-3950 CODEN： ITCPC8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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