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文献
J-GLOBAL ID：201702272080627793
整理番号：17A0214206
相補型インバータ応用のための高短絡耐能力を持つ 730V垂直SiC MOSFETの実験的実証【Powered by NICT】
Experimental demonstration of -730V vertical SiC p-MOSFET with high short circuit withstand capability for complementary inverter applications
An Junjie
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Namai Masaki
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Tanabe Mikiko
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Okamoto Dai
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Yano Hiroshi
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Iwamuro Noriyuki
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 10.7.1-10.7.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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