文献
J-GLOBAL ID:201702272193992505
整理番号:17A0325538
MgZnOバッファ層を挿入することによる量子ドット/ZnO界面におけるPbSコロイド量子ドット太陽電池における電荷再結合の低減【Powered by NICT】
Reduction of charge recombination in PbS colloidal quantum dot solar cells at the quantum dot/ZnO interface by inserting a MgZnO buffer layer
著者 (2件):
Zhang Xiaoliang
(Department of Chemistry-Ångstroem, Physical Chemistry, Uppsala University, 75120 Uppsala, Sweden. erik.johansson@kemi.uu.se)
,
Johansson Erik M. J.
資料名:
Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability
(Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻:
5
号:
1
ページ:
303-310
発行年:
2017年
JST資料番号:
W0204B
ISSN:
2050-7488
CODEN:
JMCAET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)