前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702272194936743
整理番号：17A1121844
エアロゾルインクジェット印刷され電解質ゲートインジウム酸化物薄膜トランジスタにおける2次元絶縁体-金属転移【Powered by NICT】
2D Insulator-Metal Transition in Aerosol-Jet-Printed Electrolyte-Gated Indium Oxide Thin Film Transistors
Xie Wei
(Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA)
,
Zhang Xin
(Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA)
,
Leighton Chris
(Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA)
,
Frisbie C. Daniel
(Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 3 号： 3 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。