文献
J-GLOBAL ID:201702272207240727
整理番号:17A0124351
電磁パルスによって誘起されたGaAs仮像高電子移動度トランジスタの損傷しきい値の解析【Powered by NICT】
Analysis of the damage threshold of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse
著者 (6件):
Xi Xiaowen
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Chai Changchun
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Liu Yang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Yang Yintang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Fan Qingyang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Shi Chunlei
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
8
ページ:
088504-1-088504-05
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)