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文献
J-GLOBAL ID：201702272234314347
整理番号：17A1345372
埋込みトンネルダイオード層を持つSOI MOSFETにおける増強された耐放射線性【Powered by NICT】
Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET With Embedded Tunnel Diode Layer
Huang Huixiang
(Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Wei Sufen
(Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Tang Kai
(Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Pan Jinyan
(Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Xu Wenbin
(Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Wei Yafen
(Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Wu Yiliang
(Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Chen Jinhai
(Navigation College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Mei Qiang
(Navigation College, Jimei University, Xiamen, China)
,
Zhang Zhengxuan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Geng Li
(School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64 号： 8 ページ： 2369-2376 発行年： 2017年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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