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文献
J-GLOBAL ID：201702272649375541
整理番号：17A0313225
電力用半導体素子断面積のドーパントイメージング【Powered by NICT】
Dopant imaging of power semiconductor device cross sections
Gysin U.
(Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland)
,
Meyer E.
(Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland)
,
Glatzel Th.
(Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland)
,
Guenzburger G.
(Helmholtz-Zentrum Berlin, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany)
,
Rossmann H.R.
(Laboratory for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, 5232 Villigen PSI, Switzerland)
,
Jung T.A.
(Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland)
,
Jung T.A.
(Laboratory for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, 5232 Villigen PSI, Switzerland)
,
Reshanov S.
(Ascatron AB, Electrum 207, 16440 Kista, Sweden)
,
Schoner A.
(Ascatron AB, Electrum 207, 16440 Kista, Sweden)
,
Bartolf H.
(ABB Switzerland Ltd, Corporate Research, 5405 Baden-Daettwil, Switzerland)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 160 ページ： 18-21 発行年： 2016年07月01日
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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