文献
J-GLOBAL ID:201702272686217697
整理番号:17A0755410
電荷トラップトランジスタ(CTT):高k金属ゲートCMOS技術のための埋め込まれた完全ロジックコンパチ多重時間プログラマブル不揮発性メモリ要素【Powered by NICT】
Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High- $k$ -Metal-Gate CMOS Technologies
著者 (4件):
Khan Faraz
(Electrical Engineering Department, Center for Heterogeneous Integration and Performance Scaling (CHIPS), University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, USA)
,
Cartier Eduard
(IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA)
,
Woo Jason C. S.
(Electrical Engineering Department, Center for Heterogeneous Integration and Performance Scaling (CHIPS), University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, USA)
,
Iyer Subramanian S.
(Electrical Engineering Department, Center for Heterogeneous Integration and Performance Scaling (CHIPS), University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
1
ページ:
44-47
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)