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文献
J-GLOBAL ID：201702272778947671
整理番号：17A0470077
陰極界面からの水素移動によるゲート誘電体劣化の機構【Powered by NICT】
Mechanism of gate dielectric degradation by hydrogen migration from the cathode interface
Higashi Yusuke
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
,
Higashi Yusuke
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Takaishi Riichiro
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
,
Kato Koichi
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Suzuki Masamichi
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
,
Nakasaki Yasushi
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
,
Tomita Mitsuhiro
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
,
Mitani Yuichiro
(Corporate R&D Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-Ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
,
Matsumoto Masuaki
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Ogura Shohei
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Fukutani Katsuyuki
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1, Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8505, Japan)
,
Yamabe Kikuo
(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 70 ページ： 12-21 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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