文献
J-GLOBAL ID:201702272796874224
整理番号:17A1273397
パワーモジュール中のSiC MOSFETの可能性を利用する高効率アプローチ【Powered by NICT】
High efficient approach to utilize SiC MOSFET potential in power modules
著者 (5件):
Kasko Igor
(Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany)
,
Berberich Sven E.
(Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany)
,
Gross Michael
(Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany)
,
Beckedahl Peter
(Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany)
,
Buetow Sven
(Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ISPSD
ページ:
259-262
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)