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J-GLOBAL ID:201702272932645810   整理番号:17A0993730

SOIモノリシックICのための新しい高電圧相互接続遮蔽法【Powered by NICT】

A new high-voltage interconnection shielding method for SOI monolithic ICs
著者 (10件):
Zhang Long
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Zhu Jing
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Sun Weifeng
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Sun Weifeng
(Collaborative Innovation Center of IC Design and Manufacturing of Yangtze River Delta, Shanghai 200433, China)
Huang Xuequan
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Zhao Minna
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Chen Jiajun
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Shi Longxing
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Chen Jian
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
Ding Desheng
(National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)

資料名:
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

巻: 133  ページ: 25-30  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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