文献
J-GLOBAL ID:201702273012394091
整理番号:17A1729856
近似計算応用のための28nm CMOSバルクプロセスにおける800MHz混合V_T4T利得セル埋込みDRAM【Powered by NICT】
An 800 Mhz mixed-VT 4T gain-cell embedded DRAM in 28 nm CMOS bulk process for approximate computing applications
著者 (6件):
Giterman Robert
(Faculty of Engineering, Bar-Ilan University, Ramat Gan, Israel)
,
Fish Alexander
(Faculty of Engineering, Bar-Ilan University, Ramat Gan, Israel)
,
Geuli Narkis
(Mellanox Technologies, Yokneam, Israel)
,
Mentovich Elad
(Mellanox Technologies, Yokneam, Israel)
,
Burg Andreas
(Institute of Electrical Engineering, EPFL, Lausanne, VD, 1015 Switzerland)
,
Teman Adam
(Faculty of Engineering, Bar-Ilan University, Ramat Gan, Israel)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ESSCIRC
ページ:
308-311
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)