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文献
J-GLOBAL ID：201702273021836720
整理番号：17A0352476
T型フィールドプレートを用いたAlGaN/GaNH EMTにおける電場と破壊性能の調節機構の解析【Powered by NICT】
Analysis of the modulation mechanisms of the electric field and breakdown performance in AlGaN/GaN HEMT with a T-shaped field-plate
Mao Wei
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Fan Jusheng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Du Ming
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Jinfeng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zheng Xuefeng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Wang Chong
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Ma Xiaohua
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Jincheng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 25 号： 12 ページ： 127305-1-127305-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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