文献
J-GLOBAL ID:201702273204637625
整理番号:17A0388743
窒素プロファイル制御されたZnO Schottky接触を用いたグラフェンbarristor【Powered by NICT】
A graphene barristor using nitrogen profile controlled ZnO Schottky contacts
著者 (10件):
Hwang Hyeon Jun
(Center for Emerging Electric Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-dong 1, Buk-gu, Gwangju 500-712, Korea. bhl@gist.ac.kr)
,
Chang Kyoung Eun
,
Yoo Won Beom
,
Shim Chang Hoo
,
Lee Sang Kyung
,
Yang Jin Ho
,
Kim So-Young
,
Lee Yongsu
,
Cho Chunhum
,
Lee Byoung Hun
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
7
ページ:
2442-2448
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)