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文献
J-GLOBAL ID：201702273210669446
整理番号：17A0361455
太陽電池のための溶解度ギャップ内での微斜面GaAs(001)基板上に成長させた格子整合したGaInAsPの成長【Powered by NICT】
Growth of lattice-matched GaInAsP grown on vicinal GaAs(001) substrates within the miscibility gap for solar cells
Oshima Ryuji
(National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA)
,
Oshima Ryuji
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
France Ryan M.
(National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA)
,
Geisz John F.
(National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA)
,
Norman Andrew G.
(National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA)
,
Steiner Myles A.
(National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 458 ページ： 1-7 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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