文献
J-GLOBAL ID:201702273269365048
整理番号:17A0758063
150mm SiC基板上に作製した1200V SiCプレーナMOSFETの性能と信頼性【Powered by NICT】
Performance and reliability of 1200V SiC planar MOSFETs fabricated on 150mm SiC substrates
著者 (6件):
Powell B.
(Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664)
,
Matocha K.
(Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664)
,
Chowdhury S.
(Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664)
,
Rangaswamy K.
(Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664)
,
Hundley C.
(Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664)
,
Gant L.
(Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
WiPDA
ページ:
158-161
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)