文献
J-GLOBAL ID:201702273299896070
整理番号:17A0214186
三次元積層CMOS技術による7.83μmピッチの裏面照射されたSPADイメージセンサ【Powered by NICT】
Backside illuminated SPAD image sensor with 7.83μm pitch in 3D-stacked CMOS technology
著者 (6件):
Abbas T. Al
(School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburgh, UK)
,
Dutton N. A. W.
(Imaging Division, STMicroelectronics, Edinburgh, UK)
,
Almer O.
(School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburgh, UK)
,
Pellegrini S.
(Imaging Division, STMicroelectronics, Edinburgh, UK)
,
Henrion Y.
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Henderson R. K.
(School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburgh, UK)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
8.1.1-8.1.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)