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文献
J-GLOBAL ID：201702273300498068
整理番号：17A1239132
ボトムゲートFET配置による懸濁個々のSWCNT特性化【Powered by NICT】
Suspended individual SWCNT characterization via bottom gate FET configuration
Tuo Mingguang
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Arizona, Tucson, Arizona, 85721)
,
Wang Lu
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Arizona, Tucson, Arizona, 85721)
,
Amer Moh R.
(Depertment of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, Los Angeles, California, 90095)
,
Amer Moh R.
(Center of Excellence for Green Nanotechnologies, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia)
,
Yu Xiaoju
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Arizona, Tucson, Arizona, 85721)
,
Cronin Stephen B.
(Depertment of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, California, 90089)
,
Xin Hao
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Arizona, Tucson, Arizona, 85721)
資料名：
Microwave and Optical Technology Letters
(Microwave and Optical Technology Letters)
巻： 59 号： 10 ページ： 2610-2614 発行年： 2017年
JST資料番号： T0712A ISSN： 0895-2477 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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