文献
J-GLOBAL ID:201702273301995724
整理番号:17A0469714
エピタキシャル横方向被覆成長のためのAlNテンプレート層中のけい素誘起欠陥の減少【Powered by NICT】
Silicon induced defect reduction in AlN template layers for epitaxial lateral overgrowth
著者 (7件):
Mogilatenko A.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany)
,
Mogilatenko A.
(Humboldt Universitaet zu Berlin, Institut fuer Physik, Berlin, Germany)
,
Knauer A.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany)
,
Zeimer U.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany)
,
Hartmann C.
(Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany)
,
Oppermann H.
(Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany)
,
Weyers M.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
462
ページ:
18-23
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)