文献
J-GLOBAL ID:201702273305486320
整理番号:17A1544927
酸化物故障解析を用いたReRAMデバイスにおけるフィラメント伝導経路の生成/破壊機構の同定【Powered by NICT】
Identification of the generation/rupture mechanism of filamentary conductive paths in ReRAM devices using oxide failure analysis
著者 (5件):
Rodriguez-Fernandez A.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, Spain)
,
Cagli C.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, Grenoble, France)
,
Perniola L.
(CEA, LETI, MINATEC Campus, Grenoble, France)
,
Sune J.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, Spain)
,
Miranda E.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, Spain)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
76-77
ページ:
178-183
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)